આકૃતિ ફોટોકરંટ $I$ વિરુદ્ધ લાગુ કરેલ વોલ્ટેજ $(V)$ નો આલેખ દર્શાવે છે. ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા કેટલી છે?

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરનો અભ્યાસ કરવા માટેના પ્રયોગમાં,આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ $(\nu)$ સાથે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $(V_0)$ માં જોવા મળતો ફેરફાર આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ છે. તેનો ઢાળ (slope) અને $y$-અંતઃખંડ (intercept) અનુક્રમે કેટલા હશે?

$1.13 eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર $310 nm$ તરંગલંબાઇનો પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે છે. ફોટોઇલેક્ટ્રોનને ઉત્સર્જિત થતા અટકાવવા માટે જરૂરી રિટાર્ડિંગ પોટેન્શિયલ (સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ) કેટલું હશે ($V$ માં)? [$hc = 1240 eV \cdot nm$ લો]

$v$ આવૃત્તિ ધરાવતો પ્રકાશ $v_0$ થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ ધરાવતી સપાટી પર આપાત થાય છે. ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા કોના સમપ્રમાણમાં હોય છે?

$\nu_0$ થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર $4\nu_0$ આવૃત્તિનો પ્રકાશ આપાત થાય છે. ઉત્સર્જિત ફોટોઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા કેટલી હશે?

નીચેની આકૃતિમાં,જો $V_2 > V_1$ હોય,તો: